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渗硅碳化硅成形体
    发布时间: 2017-05-18 13:56    

为使用了高纯度SiC原料的渗硅碳化硅成形体。作为用于半导体热处理材的材料。有从原料直至成品的一贯到底的制造工序以及长年培育出来的对粉料和成形体的评价技术,所以一直保持着高质量的水平。

 

渗硅碳化硅成形体

 为使用了高纯度SiC原料的渗硅碳化硅成形体。作为用于半导体热处理材
 的材料。有从原料直至成品的一贯到底的制造工序以及长年培育出来的
 对粉料和成形体的评价技术,所以一直保持着高质量的水平。


 规格(代表值
 品名  渗硅碳化硅成形体
 项目  PARUCOCERAM SI
构成 机械特性 杨氏模量
[GPa]
弯曲强度 
[MPa]
构成 [Vol%] α-SiC Si RT 370 250
82 18 800℃ 360 220
堆积密度 [kg/m3] 3.02×103 1200℃ 340 220
耐热温度 [℃] 1350 泊松比  0.18 (RT)
热特性 热传导[W/mK] 比热[kJ/kgK] 热膨胀率 [-/K]
RT 220 0.7 RT~700℃ 3.4×10-6
700℃ 60 1.23 700~1200℃ 4.3×10-6

金属杂质 [ppm]
元素

Fe

Ni

Na

K

Mg

Ca

Cr

Mn

Zn

Cu

Ti

V

Al

含有量

3

<2

<0.5

<1

<0.1

5

0.3

<0.1

<0.1

<0.1

<3

<3

25

*根据客户要求可以进行CVD-SiC镀层。 规格等详细情况请联系我们。