为使用了高纯度SiC原料的渗硅碳化硅成形体。作为用于半导体热处理材的材料。有从原料直至成品的一贯到底的制造工序以及长年培育出来的对粉料和成形体的评价技术,所以一直保持着高质量的水平。
为使用了高纯度SiC原料的渗硅碳化硅成形体。作为用于半导体热处理材 的材料。有从原料直至成品的一贯到底的制造工序以及长年培育出来的 对粉料和成形体的评价技术,所以一直保持着高质量的水平。
Fe
Ni
Na
K
Mg
Ca
Cr
Mn
Zn
Cu
Ti
V
Al
3
<2
<0.5
<1
<0.1
5
0.3
<3
25
*根据客户要求可以进行CVD-SiC镀层。 规格等详细情况请联系我们。